STH150N10F7-2 供应商
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STH150N10F7-2
品牌：ST/ELNAF 封装/批号：TO-263/1923+ -
STH150N10F7-2
品牌：ST 封装/批号：TSSOP/23+
STH150N10F7-2 属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥30.45000剪切带（CT）1,000 : ￥16.06874卷带（TR）
- 系列：DeepGATE?, STripFET? VII
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：110A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.9 毫欧 @ 55A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：117 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：8115 pF @ 50 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：250W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：H2Pak-2
- 封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB