STGWT80V60DF 供应商
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STGWT80V60DF
品牌：ST 封装/批号：全新原装/23+ -
STGWT80V60DF
品牌：ST 封装/批号：全新原装/23+ -
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品牌：ST 封装/批号：全新原装/23+ -
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品牌：isc/固电半导体 封装/批号：TO-3PB/2024+ -
STGWT80V60DF
品牌：STMicroelectronics 封装/批号：TO-3P-3，SC-65-3/23+
STGWT80V60DF 属性参数
- 现有数量：1现货
- 价格：1 : ￥46.90000管件
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：停产
- IGBT 类型：沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：120 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm)：240 A
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，80A
- 功率 - 最大值：469 W
- 开关能量：1.8mJ（开），1mJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：448 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值：60ns/220ns
- 测试条件：400V，80A，5 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr)：60 ns
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装：TO-3P
STGWT80V60DF