STGWT40H65DFB 供应商
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STGWT40H65DFB
品牌:ST 封装/批号:全新原装/23+ -
STGWT40H65DFB
品牌:ST 封装/批号:全新原装/23+ -
STGWT40H65DFB
品牌:ST 封装/批号:全新原装/23+ -
STGWT40H65DFB
品牌:ST 封装/批号:全新原装/23+ -
STGWT40H65DFB
品牌:isc/固电半导体 封装/批号:TO-3PB/2024+ -
STGWT40H65DFB
品牌:STM 封装/批号:TO-3P/21+ -
STGWT40H65DFB
品牌:STMicroelectronics 封装/批号:TO-3P-3,SC-65-3/23+ -
STGWT40H65DFB
品牌:ST 封装/批号:TSSOP/23+
STGWT40H65DFB 属性参数
- 现有数量:0现货查看交期
- 价格:1 : ¥40.23000管件
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A
- 功率 - 最大值:283 W
- 开关能量:498μJ(开),363μJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:210 nC
- 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/142ns
- 测试条件:400V,40A,5 欧姆,15V
- 反向恢复时间 (trr):62 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P