STD9NM40N 供应商
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STD9NM40N
品牌：ST 封装/批号：/最新批号
STD9NM40N 属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：1 : ￥13.75000剪切带（CT）2,500 : ￥6.30049卷带（TR）
- 系列：MDmesh? II
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：不适用于新设计
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：400 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：790 毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：14 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：365 pF @ 50 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：60W（Tc）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：DPAK
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63