IC元器件

STD26P3LLH6

单 FET，MOSFET

STD26P3LLH6 供应商

STD26P3LLH6 属性参数

  • 现有数量：53,170现货
  • 价格：1 : ￥10.97000剪切带（CT）2,500 : ￥4.65117卷带（TR）
  • 系列：DeepGATE?, STripFET? VI
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 6A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1450 pF @ 25 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：40W（Tc）
  • 工作温度：175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：DPAK
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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