STB3NB60T4 供应商
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STB3NB60T4
品牌：ST 封装/批号：SOT-263/23+ -
STB3NB60T4
品牌：ST/ELNAF 封装/批号：TO-263/1904+
STB3NB60T4 属性参数
- 制造商：STMicroelectronics
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：600 V
- 闸/源击穿电压：+/- 30 V
- 漏极连续电流：3.3 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.3 Ohms
- 配置：Single
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：D2PAK
- 封装：Reel
- 下降时间：13 ns
- 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：2 S
- 最小工作温度：- 65 C
- 功率耗散：80 W
- 上升时间：7 ns
- 工厂包装数量：1000