IC元器件

SPD18P06PGBTMA1

单 FET，MOSFET

SPD18P06PGBTMA1 供应商

SPD18P06PGBTMA1 属性参数

  • 现有数量：15,453现货
  • 价格：1 : ￥11.61000剪切带（CT）2,500 : ￥4.93282卷带（TR）
  • 系列：SIPMOS?
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18.6A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：130 毫欧 @ 13.2A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：33 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：860 pF @ 25 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：80W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：PG-TO252-3
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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