IC元器件

SP8M70TB1 供应商

SP8M70TB1 属性参数

  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:N 和 P 沟道
  • FET 功能:-
  • 漏源电压(Vdss):250V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A,2.5A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.63 欧姆 @ 1.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):5.2nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):180pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:650mW
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOP

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