SN74LVC2G32QDCURQ1 供应商
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SN74LVC2G32QDCURQ1
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
SN74LVC2G32QDCURQ1
品牌：TI(德州仪器) 封装/批号：VSSOP-8/2022+ -
SN74LVC2G32QDCURQ1
品牌：Texas Instruments 封装/批号：原厂封装只做原装/23+
SN74LVC2G32QDCURQ1 属性参数
- 现有数量：3,011现货
- 价格：1 : ￥6.36000剪切带（CT）3,000 : ￥2.53451卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q100, 74LVC
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 逻辑类型：或门
- 电路数：2
- 输入数：2
- 特性：-
- 电压 - 供电：1.65V ~ 5.5V
- 电流 - 静态（最大值）：10 μA
- 电流 - 输出高、低：32mA，32mA
- 逻辑电平 - 低：0.7V ~ 0.8V
- 逻辑电平 - 高：1.7V ~ 2V
- 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟：4.7ns @ 5V，50pF
- 工作温度：-40°C ~ 125°C
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-VSSOP
- 封装/外壳：8-VFSOP（0.091"，2.30mm 宽）
产品特性
- 符合汽车应用要求
- 具有符合 AEC-Q100 的下列结果：器件温度 1 级：-40°C 至 125°C 的环境运行温度范围 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 H2 器件充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C3B
- 器件温度 1 级：-40°C 至 125°C 的环境运行温度范围
- 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 H2
- 器件充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C3B
- 输入接受的电压达到 5.5V
- 3.3V 时，最大传播（延迟）时间为 3.8ns
- 低功耗，最大电源电流 10μA
- 3.3V 时，输出驱动 ±24mA
- 在VCC=3.3 V，TA=25°C 时，典型电压输出低峰值（输出地弹反射）<0.8V
- 在 VCC=3.3V，TA=25°C 时，典型电压输出高谷值 (VOH下冲)>2V
- I关闭状态电流支持部分断电模式运行
产品概述
这个双路上输入正或门被设计用于 1.65V 至 5.5V 集流器电源电压运行。SN74LVC2G32-Q1 在正逻辑中执行布尔函数 。NanoFree 封装技术是IC 封装概念的一项重大突破，它将硅晶片用作封装。该器件完全符合使用关闭状态电流的部分断电应用的规范要求。 关闭状态电流电路禁用输出，从而可防止其断电时破坏性电流从该器件回流。