SN74CB3Q16211DGGR 供应商
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SN74CB3Q16211DGGR
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
SN74CB3Q16211DGGR
品牌：TI(德州仪器) 封装/批号：TSSOP-56/2022+ -
SN74CB3Q16211DGGR
品牌：TI 封装/批号：TSSOP/23+
SN74CB3Q16211DGGR 属性参数
- 标准包装：1
- 类别：集成电路 (IC)
- 家庭：逻辑 - 信号开关，多路复用器，解码器
- 系列：74CB
- 类型：FET 总线开关
- 电路：12 x 1:1
- 独立电路：2
- 输出电流高，低：15mA，30mA
- 电压电源：单电源
- 电源电压：2.3 V ~ 3.6 V
- 工作温度：-40°C ~ 85°C
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：56-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽）
- 供应商设备封装：56-TSSOP
- 包装：®
- 其它名称：296-17629-6
产品特性
- 德州仪器 (TI) Widebus 系列产品
- 高带宽数据路径（高达 500MHz(1)）
- 可耐受 5V 电压并支持器件上电或断电的 I/O
- 在运行范围内具有平缓的低通态电阻 (ron) 特性 （ron 典型值 = 5Ω）
- 支持在数据 I/O 端口进行轨到轨开关 3.3V VCC 时，开关范围为 0V 至 5V 2.5V VCC 时，开关范围为 0V 至 3.3V
- 3.3V VCC 时，开关范围为 0V 至 5V
- 2.5V VCC 时，开关范围为 0V 至 3.3V
- 具有接近零传播延迟的双向数据流
- 低输入和输出电容可更大程度减小负载和信号失真 （Cio(OFF) 典型值 = 4pF）
- 快速开关频率（f OE 最大值 = 20MHz）
- 数据与控制输入提供下冲钳位二极管
- 低功耗（ICC 典型值 = 1mA）
- VCC 工作范围为 2.3V 至 3.6V
- 数据 I/O 支持 0V 至 5V 信号电平 （0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V）
- 控制输入可由 TTL 或 5V/3.3V CMOS 输出驱动
- Ioff 支持局部断电模式运行
- 闩锁性能超过 100mA，符合 JESD 78 II 类规范
- ESD 性能测试符合 JESD 22 标准 2000V 人体放电模型 （A114-B，II 类） 1000V 充电器件模型 (C101)
- 2000V 人体放电模型 （A114-B，II 类）
- 1000V 充电器件模型 (C101)
- 支持数字和模拟应用：PCI 接口、差分信号接口、内存交错、总线隔离、低失真信号门控(1)
产品概述
SN74CB3Q16211 器件是一款高带宽 FET 总线开关，此开关利用一个电荷泵来提升传输晶体管的栅极电压，从而提供一个平缓的低通态电阻 (ron)。平缓的低通态电阻可实现超小的传播延迟，并且支持在数据输入/输出 (I/O) 端口上进行轨到轨开关。该器件还具有低的数据 I/O 电容，以更大限度地减少数据总线上的容性负载和信号失真。SN74CB3Q16211 器件专为支持高带宽应用而设计，提供优化的接口解决方案，非常适合宽带通信、网络和数据密集型计算系统。SN74CB3Q16211 器件配置为两个具有独立输出使能（1 OE、2 OE）输入的 12 位总线开关。它即可用作 24 个 12 位总线开关，也可用作 1 个 2 位总线开关。当 OE 为低电平时，相关 12 位总线开关打开，并且 A 端口被连接至 B 端口，从而实现两个端口之间的双向数据流。当 OE 为高电平时，相关 12 位总线开关关闭，并且在 A 与 B 端口之间存在高阻抗状态。该器件完全符合使用 Ioff 的部分断电应用的规范要求。Ioff 电路可防止在器件断电时电流回流对器件造成损坏。为了确保加电或断电期间的高阻抗状态，OE 应通过一个上拉电阻器被连接至 VCC；该电阻器的最小值由驱动器的电流灌入能力来决定。
SN74CB3Q16211DGGR 数据手册
SN74CB3Q16211DGGR
SN74CB3Q16211DGGR 电路图
