SN65HVD82DR 供应商
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SN65HVD82DR 原装现货
品牌:TI 封装/批号:SOP-8/2224 -
SN65HVD82DR
品牌:TI 封装/批号:原厂原装/22+ -
SN65HVD82DR
品牌:TI 封装/批号:SMD/22+ -
SN65HVD82DR
品牌:TI 封装/批号:SOP-8/ -
SN65HVD82DR
品牌:TI/德州仪器 封装/批号:SOP8/21+ -
SN65HVD82DR
品牌:TI(德州仪器) 封装/批号:SOIC-8_150mil/2022+ -
SN65HVD82DR
品牌:TI 封装/批号:SOP8/新批号 -
SN65HVD82DR
品牌:TI 封装/批号:/23+ -
SN65HVD82DR
品牌: 封装/批号:/连可连代销V -
SN65HVD82DR
品牌:TI 封装/批号:/2021+
SN65HVD82DR 属性参数
- 现有数量:4,379现货10,000Factory
- 价格:1 : ¥22.18000剪切带(CT)2,500 : ¥8.91979卷带(TR)
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- 类型:收发器
- 协议:RS422,RS485
- 驱动器/接收器数:1/1
- 双工:半
- 接收器滞后:60 mV
- 数据速率:250kbps
- 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SOIC
产品特性
- 总线 I/O 保护 ±16kV 人体模型 (HBM) 保护 ±12kV IEC 61000-4-2 接触放电+4kV IEC61000-4-4 快速瞬态突发
- ±16kV 人体模型 (HBM) 保护
- ±12kV IEC 61000-4-2 接触放电
- +4kV IEC61000-4-4 快速瞬态突发
- 工业温度范围:-40°C 至 85°C
- 用于噪声抑制的较大接收器滞后(典型值为 60mV)
- 低功耗 <1µA 待机电流 <1mA 静态电流
- <1µA 待机电流
- <1mA 静态电流
- 信号传输速率经优化高达 250kbps
- 借助 WEBENCH® 电源设计器,使用 SN65HVD82 创建定制设计方案
产品概述
该器件兼具驱动器和接收器功能,稳健耐用,可满足特定工业 应用中的严格要求。这些总线引脚可耐受 ESD 事件,并且具备符合人体模型、气隙放电和接触放电规范的高水平保护。该器件将差分驱动器与差分接收器相结合,共同由单个 5V 电源供电。驱动器差分输出和接收器差分输入在内部连接,构成一个适用于半双工(两线制总线)通信的总线端口。该器件 具有 宽共模电压范围,因此适用于长线缆上的 多点 应用。该器件的额定温度范围介于 -40°C 和 85°C 之间。
SN65HVD82DR 电路图
