IC元器件

SMUN5111DW1T1G

参考价格:$0.10553-$0.14157

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 阵列

SMUN5111DW1T1G 供应商

SMUN5111DW1T1G 属性参数

  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列:-
  • 晶体管类型:2 PNP(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300nA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):500nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):35 @ 5mA,10V
  • 功率 - 最大:385mW
  • 频率 - 转换:-
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装:SC-88
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SMUN5111DW1T1G-NDSMUN5111DW1T1GOSTR