IC元器件

SISA04DN-T1-GE3

参考价格:¥3.59-¥5.11

MOSFET

SISA04DN-T1-GE3 供应商

SISA04DN-T1-GE3 属性参数

  • 制造商:Vishay
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:+ 20 V, - 16 V
  • 漏极连续电流:40 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.00215 Ohms at 10 V
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:PowerPAK 1212-8
  • 封装:Reel
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:52 W
  • 零件号别名:SISA04DN-GE3