SIS478DN-T1-GE3 供应商
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SIS478DN-T1-GE3
品牌：CENTRAL 封装/批号：/最新批号 -
SIS478DN-T1-GE3 MOS
品牌：VISHAY/威世 封装/批号：QFN33/21+
SIS478DN-T1-GE3 属性参数
- 制造商：Vishay
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：30 V
- 漏极连续电流：12 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.016 Ohms
- 配置：Single
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：PowerPAK 1212-8
- 封装：Reel
- 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：20 S
- 栅极电荷 Qg：7 nC
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：15.6 W
- 零件号别名：SIS478DN-GE3