IC元器件

SIHF12N50C-E3

参考价格:¥27.26-¥65.21

MOSFET

SIHF12N50C-E3 供应商

SIHF12N50C-E3 属性参数

  • 制造商:Vishay
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:500 V
  • 闸/源击穿电压:30 V
  • 漏极连续电流:12 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.46 Ohms
  • 配置:Single
  • 最大工作温度:+ 125 C
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-220FP
  • 封装:Reel
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值):3 S
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:36 W