SI8499DB-T2-E1 供应商
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SI8499DB-T2-E1
品牌：SI/ELNAF 封装/批号：XX/1810+ -
SI8499DB-T2-E1
品牌：SI 封装/批号：/最新批号 -
SI8499DB-T2-E1
品牌：VISHAY 封装/批号：TSSOP/23+
SI8499DB-T2-E1 属性参数
- 制造商：Vishay
- 晶体管极性：P-Channel
- 汲极/源极击穿电压：- 20 V
- 闸/源击穿电压：12 V
- 漏极连续电流：- 7.8 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.026 Ohms at - 4.5 V
- 配置：Single
- 最大工作温度：+ 125 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：Micro Foot-6
- 封装：Reel
- 下降时间：30 nS
- 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：10 S
- 栅极电荷 Qg：20 nC
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：2.77 W
- 上升时间：10 nS
- 典型关闭延迟时间：55 nS