SI7652DP-T1-E3 供应商
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SI7652DP-T1-E3
品牌：VISHAY/威世 封装/批号：QFN8/21+ -
SI7652DP-T1-E3
品牌： 封装/批号：模块/NEW -
SI7652DP-T1-E3
品牌： 封装/批号：模块/NEW
SI7652DP-T1-E3 属性参数
- 制造商：Vishay
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：30 V
- 闸/源击穿电压：+/- 25 V
- 漏极连续电流：15 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：18.5 mOhms
- 配置：Single
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：PowerPAK SO-8
- 封装：Reel
- 下降时间：14 ns
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：3.9 W
- 上升时间：12 ns
- 工厂包装数量：3000
- 典型关闭延迟时间：32 ns
- 零件号别名：SI7652DP-E3