IC元器件

SI4925DY-T1-E3

MOSFET

SI4925DY-T1-E3 供应商

SI4925DY-T1-E3 属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：4.7 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：32 mOhms
  • 配置：Dual
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow
  • 封装：Reel
  • 下降时间：20 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.1 W
  • 上升时间：10 ns
  • 工厂包装数量：2500
  • 商标名：TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间：55 ns
  • 零件号别名：SI4925DY-E3

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