SI4800DY-T1 供应商
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SI4800DY-T1
品牌： 封装/批号：/0 -
SI4800DY-T1
品牌： 封装/批号：8/SOP/2019+ -
SI4800DY-T1
品牌：SILICONIX 封装/批号：标准封装/23+ -
SI4800DY-T1-E3
品牌：VISHAY 封装/批号：SMD-8/21+ -
SI4800DY-T1-E3
品牌： 封装/批号：SOP-8/23+
SI4800DY-T1 属性参数
- 制造商：Vishay
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：30 V
- 闸/源击穿电压：+/- 25 V
- 漏极连续电流：9 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：18.5 mOhms
- 配置：Single
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow
- 封装：Reel
- 下降时间：9 ns
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：2.5 W
- 上升时间：8 ns
- 工厂包装数量：2500
- 商标名：TrenchFET
- 典型关闭延迟时间：22 ns