SI4501DY-T1-E3 供应商
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SI4501DY-T1-E3
品牌：VISHAY 封装/批号：SO8/7 -
SI4501DY-T1-E3
品牌：VISHAY/威世 封装/批号：SOP8/21+ -
SI4501DY-T1-E3
品牌：VishaySiliconix 封装/批号：/21+
SI4501DY-T1-E3 属性参数
- 制造商：Vishay
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：N and P-Channel
- 汲极/源极击穿电压：30 V, 8 V
- 闸/源击穿电压：+/- 20 V, +/- 8 V
- 漏极连续电流：9 A, 6.2 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：18 mOhms, 42 mOhms
- 配置：Dual
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow
- 封装：Reel
- 下降时间：17 ns, 60 ns
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：2.5 W
- 上升时间：9 ns, 50 ns
- 工厂包装数量：2500
- 典型关闭延迟时间：35 ns, 110 ns
- 零件号别名：SI4501DY-E3