SI4501BDY-T1-GE3 供应商
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SI4501BDY-T1-GE3
品牌：VISHAY/威世 封装/批号：SOP8/21+ -
SI4501BDY-T1-GE3
品牌：ADI/亚德诺 封装/批号：/最新批号
SI4501BDY-T1-GE3 属性参数
- 制造商：Vishay
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：N and P-Channel
- 汲极/源极击穿电压：30 V, - 8 V
- 闸/源击穿电压：20 V, 8 V
- 漏极连续电流：12 A, - 8 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0135 Ohms, 0.021 Ohms
- 配置：Dual
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：SOIC-8
- 封装：Reel
- 下降时间：8 ns, 9 ns
- 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：29 S, 24 S
- 栅极电荷 Qg：16.5 nC, 27.5 nC
- 功率耗散：4.5 Watts
- 上升时间：11 ns, 12 ns
- 典型关闭延迟时间：15 ns, 35 ns
- 零件号别名：SI4501BDY-GE3