IC元器件

SI4463DY-T1

MOSFET

SI4463DY-T1 供应商

SI4463DY-T1 属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：20 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 12 V
  • 漏极连续电流：9 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：14 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SO-8
  • 封装：Reel
  • 下降时间：45 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.5 W
  • 上升时间：45 ns
  • 工厂包装数量：2500
  • 典型关闭延迟时间：160 ns

SI4463DY-T1 相关产品