IC元器件

SI4435DY-T1-REVA

MOSFET

SI4435DY-T1-REVA 供应商

SI4435DY-T1-REVA 属性参数

  • 制造商:Vishay
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:8 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):20 mOhms
  • 配置:Single
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SOIC-8 Narrow
  • 封装:Reel
  • 下降时间:31 ns
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:2.5 W
  • 上升时间:17 ns
  • 工厂包装数量:2500
  • 典型关闭延迟时间:75 ns