SI4286DY-T1-GE3 供应商
-
SI4286DY-T1-GE3
品牌：VISHAY 封装/批号：SOP8/新批号
SI4286DY-T1-GE3 属性参数
- 制造商：Vishay
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：40 V
- 闸/源击穿电压：20 V
- 漏极连续电流：7 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.027 Ohms
- 配置：Dual
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：SOIC-8
- 封装：Reel
- 下降时间：7 ns
- 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：27 S
- 栅极电荷 Qg：6.8 nC
- 功率耗散：2.9 Watts
- 上升时间：11 ns
- 典型关闭延迟时间：10 ns
- 零件号别名：SI4286DY-GE3