IC元器件

SI4178DY-T1-GE3

参考价格:¥1.41-¥4.76

MOSFET

SI4178DY-T1-GE3 供应商

SI4178DY-T1-GE3 属性参数

  • 制造商:Vishay
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 漏极连续电流:12 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.017 Ohms
  • 配置:Single
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SO-8
  • 封装:Reel
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值):22 S
  • 栅极电荷 Qg:7.5 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:5 W
  • 零件号别名:SI4178DY-GE3