SI3585CDV-T1-GE3 供应商
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SI3585CDV-T1-GE3
品牌：VISHAY/威世 封装/批号：18000/21+ -
SI3585CDV-T1-GE3
品牌：VISHAY 封装/批号：TSOP-6/21+ -
SI3585CDV-T1-GE3
品牌：VISHAY 封装/批号：TSSOP/23+
SI3585CDV-T1-GE3 属性参数
- 制造商：Vishay
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：N and P-Channel
- 汲极/源极击穿电压：+/- 20 V
- 闸/源击穿电压：12 V
- 漏极连续电流：3.9 A, - 2.1 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.048 Ohms, 0.162 Ohms
- 配置：Single
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：TSOP-6
- 封装：Reel
- 下降时间：8 ns, 7 ns
- 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：12 S, 1 S
- 栅极电荷 Qg：3.2 nC
- 功率耗散：1.4 Watts
- 上升时间：20 ns, 10 ns
- 典型关闭延迟时间：11 ns, 13 ns
- 零件号别名：SI3585CDV-GE3