IC元器件

SI3441DV-T1

MOSFET

SI3441DV-T1 供应商

SI3441DV-T1 属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：- 20 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 8 V
  • 漏极连续电流：- 2.3 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.135 Ohms
  • 配置：Single Quad Drain
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TSOP-6
  • 封装：Reel
  • 下降时间：40 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：0.96 W
  • 上升时间：40 ns
  • 工厂包装数量：3000
  • 典型关闭延迟时间：40 ns

SI3441DV-T1 相关产品