SI2366DS-T1-GE3 供应商
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SI2366DS-T1-GE3
品牌：原装VISHAY 封装/批号：/最新批号 -
SI2366DS-T1-GE3
品牌： 封装/批号：SOT-23/23+
SI2366DS-T1-GE3 属性参数
- 制造商：Vishay
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：30 V
- 闸/源击穿电压：20 V
- 漏极连续电流：5.8 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.03 Ohms
- 配置：Single
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：SOT-23
- 封装：Reel
- 下降时间：8 ns
- 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：13 S
- 栅极电荷 Qg：6.4 nC
- 功率耗散：2.1 Watts
- 上升时间：12 ns
- 典型关闭延迟时间：14 ns
- 零件号别名：SI2366DS-GE3