SI1903DL-T1 供应商
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SI1903DL-T1
品牌： 封装/批号：/23+ -
SI1903DL-T1-E3
品牌：VISHAY/威世 封装/批号：SOT23-6/21+ -
SI1903DL-T1-E3
品牌： 封装/批号：模块/NEW -
SI1903DL-T1-E3
品牌： 封装/批号：模块/NEW
SI1903DL-T1 属性参数
- 制造商：Vishay
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：P-Channel
- 汲极/源极击穿电压：20 V
- 闸/源击穿电压：+/- 12 V
- 漏极连续电流：0.44 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.995 Ohms
- 配置：Dual
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：SOT-363-6
- 封装：Reel
- 下降时间：20 ns
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：270 mW
- 上升时间：20 ns
- 工厂包装数量：3000
- 商标名：TrenchFET
- 典型关闭延迟时间：8.5 ns