SI1902CDL-T1-GE3 供应商
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SI1902CDL-T1-GE3
品牌：VISHAY 封装/批号：SC-70-6(SOT-363)/21+ -
SI1902CDL-T1-GE3
品牌：VISHAY(威世) 封装/批号：////23+ -
SI1902CDL-T1-GE3
品牌：VISHAY 封装/批号：TSSOP/23+
SI1902CDL-T1-GE3 属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥3.58000剪切带（CT）3,000 : ￥1.01923卷带（TR）
- 系列：TrenchFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.1A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：235 毫欧 @ 1A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：62pF @ 10V
- 功率 - 最大值：420mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：SC-70-6