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型号 品牌 封装/批号

T1081N65TOH

江苏东导半导体有限公司
Infineon/英飞凌 全新原装23+

T1081N65TOH

上海慈轲科技有限公司
Infineon/英飞凌 全新原装23+

T1081N65TOH

上海乙幸科技有限公司
Infineon/英飞凌 全新原装23+

T1081N65TOH

江苏北阳电气有限公司
Infineon/英飞凌 全新原装23+

T1081N65TOH

昆山隆诚翔电子有限公司
infineon 标准封装24+

T1081N65TOH

上海传泽电子科技有限公司
英飞凌 标准封装22+

T1081N65TOH

上海七中科技有限公司
Infineon 标准封装21+

T1081N65TOH

上海三村电子技术有限公司
Infineon EA21+

T1081N65TOH

上海比发电子科技有限公司
INFINEON/英飞凌 TRAY22+

T1081N65TOH

上海传泽电子科技有限公司
英飞凌Infineon Tray21+

T1081N65TOH

安徽纽本科技有限公司
INFINEON/英飞凌 MODULE23+

T1081N65TOH

上海统盈电子科技有限公司

T1081N65TOH

上海途骄电子科技有限公司
INFINEON MODULE23+

T1081N65TOH

上海统盈电子科技有限公司
Infineon英飞凌 Tray22+

T1081N65TOH

上海硅威科技有限公司
Infineon 标准封装22+

T1081N65TOH

上海悦海瑛泰科技有限公司
INFINEON/英飞凌 2022+

T1081N65TOH

上海信和达电子科技有限公司
Infineon 标准封装22+

T1081N65TOH

南京芯科利电子科技有限公司
infineon/英飞凌 标准封装22+

T1081N65TOHXPSA1

上海墨河电子科技有限公司
Infineon Technologies DO-200AE23+

T1081N65TOH 的相关参数

信息仅供参考,实际以PDF为准

  • 制造商:Infineon
  • 电流额定值:1800 A
  • 正向电流:35000 A
  • 额定重复关闭状态电压 VDRM:6500 V
  • 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):400 mA
  • 保持电流(Ih 最大值):350 mA
  • 栅触发电压 (Vgt):2.5 V
  • 栅触发电流 (Igt):350 mA