型号 | 品牌 | 封装/批号 |
---|---|---|
上海德懿电子科技有限公司 | VISHAY | BGA00+ |
安徽芯海技术有限公司 | Vishay | TSSOP23+ |
苏州讯英时代电子科技有限公司 | 台灣威世有限公司 | NA2023+ |
杭州丹骏电子科技有限公司 | VISHAY | QFN810+ |
杭州芯意法电子有限公司 | VISHAY/威世 | QFN821+ |
昆山奇沃电子有限公司 | 模块NEW | |
常州泰格睿达电子科技有限责任公司 | VISHAY | 22+ |
厦门奇沃晟芯电子有限公司 | 模块NEW | |
上海熙铖电子科技有限公司 | VISHAY | 最新批号 |
上海旋尔电子有限公司 | Vishay | QFN822+授权代理 |
上海包恰科技有限公司 | Vishay | 默认2年内 |
SI7850DP-T1 的相关参数
信息仅供参考,实际以PDF为准

- 制造商:Vishay
- 产品种类:MOSFET
- 晶体管极性:N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:60 V
- 闸/源击穿电压:+/- 20 V
- 漏极连续电流:6.2 A
- 电阻汲极/源极 RDS(导通):22 mOhms
- 配置:Single