| 型号 | 品牌 | 封装/批号 |
|---|---|---|
|
IRFZ34NPBF 原装现货 深圳市美思星科技有限公司 |
IR | TO-2202010 |
| 上海三崧电子有限公司 | INFINEON | TO22023+ |
| 深圳市波光电子有限公司 | INFINEON/英飞凌 | TO-22024+ |
| 杭州丹骏电子科技有限公司 | IR | TO-2201407+ |
| 苏州阜晶电子科技有限公司 | IR | 标准封装09+ |
| 上海德懿电子科技有限公司 | IR | 21+ |
| 上海鑫勃源电子科技有限公司 | Infineon | 原厂原封装新批号 |
| 苏州迅昊科技有限公司 | Infineon | 2021+ |
| 上海悦海瑛泰科技有限公司 | INFINEON/英飞凌 | 2022+ |
| 安徽芯海技术有限公司 | IR | TO-22023+ |
| 上海包恰科技有限公司 | INFINEON | Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-22022+ |
IRFZ34NPBF 的相关参数
信息仅供参考，实际以PDF为准
- 标准包装：50
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：HEXFET®
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：55V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：29A