| 型号 | 品牌 | 封装/批号 |
|---|---|---|
| 无锡固电半导体股份有限公司 | isc/固电半导体 | E107X45-17L2024+ |
| 昆山奇沃电子有限公司 | 英飞凌 | 标准封装NEW |
| 厦门奇沃晟芯电子有限公司 | infineon | 模块NEW |
| 上海三崧电子有限公司 | Infineon | Module21+ |
BSM30GD60DLC 的相关参数
信息仅供参考，实际以PDF为准
- 制造商：Infineon
- 产品种类：IGBT 模块
- 产品：IGBT Silicon Modules
- 配置：Hex
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
- 集电极—射极饱和电压：1.95 V
- 在25 C的连续集电极电流：40 A
- 栅极—射极漏泄电流：400 nA