| 型号 | 品牌 | 封装/批号 |
|---|---|---|
| 厦门奇沃晟芯电子有限公司 | infineon | 模块NEW |
| 上海旺松新能源科技有限公司 | Infineon | 标准-/NEW |
| 苏州新杰邦电子技术有限公司 | 英飞凌/Infineon | module19+ |
| 上海紫卓电子科技有限公司 | Infineon | 标准封装20+ |
| 上海传泽电子科技有限公司 | 英飞凌Infineon | Tray21+ |
| 上海途骄电子科技有限公司 | INFINEON | MODULE23+ |
| 上海悦海瑛泰科技有限公司 | INFINEON/英飞凌 | 2022+ |
| 南京芯科利电子科技有限公司 | infineon/英飞凌 | 标准封装22+ |
| 昆山奇沃电子有限公司 | infineon | 模块NEW |
| 上海三崧电子有限公司 | Infineon | AG-62MM-221+ |
| 上海鑫勃源电子科技有限公司 | Infineon | 原厂原封装新批号 |
BSM200GA120DLC 的相关参数
信息仅供参考，实际以PDF为准
- 制造商：Infineon
- 产品种类：IGBT 模块
- 产品：IGBT Silicon Modules
- 配置：Single Dual Emitter
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
- 集电极—射极饱和电压：2.1 V
- 在25 C的连续集电极电流：370 A
- 栅极—射极漏泄电流：400 nA