| 型号 | 品牌 | 封装/批号 |
|---|---|---|
| 无锡固电半导体股份有限公司 | isc/固电半导体 | TO-2472024+ |
| 上海齐创科技有限公司 | MICROSEMI | Standard Pac23+ |
| 上海鑫勃源电子科技有限公司 | Microsemi | TO-247新批号 |
APT44GA60BD30C 的相关参数
信息仅供参考，实际以PDF为准
- 标准包装：30
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：IGBT - 单路
- 系列：POWER MOS 8™
- IGBT 类型：PT
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V
- Vge, Ic时的最大Vce（开）：1.6V @ 15V，26A
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：78A