IC元器件

RRH090P03TB1

单 FET，MOSFET

RRH090P03TB1 供应商

RRH090P03TB1 属性参数

  • 现有数量：2,400现货
  • 价格：1 : ￥12.64000剪切带（CT）2,500 : ￥5.37572卷带（TR）
  • 系列：-
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
  • 产品状态：不适用于新设计
  • FET 类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：15.4 毫欧 @ 9A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：30 nC @ 5 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3000 pF @ 10 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：650mW（Ta）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：8-SOP
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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