RCD075N20TL 供应商
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RCD075N20TL
品牌：RohmSemiconductor 封装/批号：CPT3/18+
RCD075N20TL 属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：2,500 : ￥4.80572卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：不适用于新设计
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：325 毫欧 @ 3.75A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.25V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：755 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：850mW（Ta），20W（Tc）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：CPT3
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63