QSZ2TR 属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 阵列
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN，PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1.5A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：350mV @ 50mA，1A / 370mV @ 50mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：270 @ 100mA，2V
- 功率 - 最大：1.25W
- 频率 - 转换：300MHz，280MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-23-5 细型，TSOT-23-5
- 供应商设备封装：TSMT5
- 包装：带卷 (TR)