PDTC114TE,115 供应商
-
PDTC114TE,115
品牌：NXP 封装/批号：/21+
PDTC114TE,115 属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN - 预偏压
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：10k
- 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：200 @ 1mA，5V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：1µA
- 频率 - 转换：-
- 功率 - 最大：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-75，SOT-416
- 供应商设备封装：SC-75
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：934051780115PDTC114TE T/RPDTC114TE T/R-ND