NVMFD5873NLT1G 供应商
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NVMFD5873NLT1G
品牌：ONSemiconductor 封装/批号：8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通/18+
NVMFD5873NLT1G 属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：1 : ￥16.06000剪切带（CT）1,500 : ￥7.88933卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：停产
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：13 毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：30.5nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1560pF @ 25V
- 功率 - 最大值：3.1W
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商器件封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）