IC元器件

NTTS2P02R2G

ON Semiconductor MOSFET

NTTS2P02R2G 供应商

NTTS2P02R2G 属性参数

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：- 20 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 8 V
  • 漏极连续电流：- 2.4 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.09 Ohms
  • 配置：Single Quad Drain Triple Source
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：Micro-8
  • 封装：Reel
  • 下降时间：40 ns, 31 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：0.78 W
  • 上升时间：40 ns, 31 ns
  • 工厂包装数量：4000
  • 典型关闭延迟时间：35 ns, 33 ns

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