IC元器件

NTMS4935NR2G

ON Semiconductor MOSFET

NTMS4935NR2G 供应商

NTMS4935NR2G 属性参数

  • 制造商:ON Semiconductor
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 漏极连续电流:13 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):4.2 mOhms
  • 配置:Single
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SO-8
  • 封装:Reel
  • 栅极电荷 Qg:52.1 nC
  • 功率耗散:1.38 W