NTMFS4C10NT1G 供应商
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NTMFS4C10NT1G 原装现货
品牌:ON 封装/批号:QFN/21+ -
NTMFS4C10NT1G
品牌:ON 封装/批号:NA/2022+ -
NTMFS4C10NT1G
品牌:onsemi 封装/批号:DFN5 5X6, 1.27P (SO 8FL)/21+ -
NTMFS4C10NT1G
品牌:ON SEMICONDUCTOR 封装/批号:/23+ -
NTMFS4C10NT1G
品牌:ON/安森美 封装/批号:SMD/21+ -
NTMFS4C10NT1G
品牌:ORSEMI/安森美 封装/批号:SO-8FL/DFN-5/22+ -
NTMFS4C10NT1G
品牌:ONSemi 封装/批号:SO-8FL / DFN-5/新批号 -
NTMFS4C10NT1G
品牌:ON/ELNAF 封装/批号:QFN8/1906+ -
NTMFS4C10NT1G-001
品牌:ONSemiconductor 封装/批号:5-DFN(5x6)(8-SOFL)/18+
NTMFS4C10NT1G 属性参数
- 现有数量:2,372现货
- 价格:1 : ¥11.13000剪切带(CT)1,500 : ¥5.05359卷带(TR)
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.2A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):6.95 毫欧 @ 30A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):9.7 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):987 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):750mW(Ta),23.6W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:5-DFN(5x6)(8-SOFL)
- 封装/外壳:8-PowerTDFN,5 引线