NTMFS4C05NT1G 供应商
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NTMFS4C05NT1G 原装现货
品牌:ON 封装/批号:QFN/22+ -
NTMFS4C05NT1G
品牌:onsemi 封装/批号:DFN5 5X6, 1.27P (SO 8FL)/21+ -
NTMFS4C05NT1G
品牌:ON 封装/批号:QFN8/22+授权代理 -
NTMFS4C05NT1G
品牌:ORSEMI/安森美 封装/批号:SO-8FL/DFN-5/22+ -
NTMFS4C05NT1G
品牌:ONSemiconductor 封装/批号:5-DFN(5x6)(8-SOFL)/18+ -
NTMFS4C05NT1G
品牌:ONSemi 封装/批号:DFN-8/新批号 -
NTMFS4C05NT1G
品牌:ON/ELNAF 封装/批号:QFN-8/1918+
NTMFS4C05NT1G 属性参数
- 现有数量:0现货
- 价格:1 : ¥10.73000剪切带(CT)1,500 : ¥4.89184卷带(TR)
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.9A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.4 毫欧 @ 30A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):14 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1972 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):770mW(Ta),33W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:5-DFN(5x6)(8-SOFL)
- 封装/外壳:8-PowerTDFN,5 引线