NSVMMUN2132LT1G 供应商
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NSVMMUN2132LT1G
品牌：onsemi 封装/批号：SOT-23 (TO-236) 3 LEAD/21+ -
NSVMMUN2132LT1G
品牌：ONSemiconductor 封装/批号：SOT-23-3(TO-236)/18+
NSVMMUN2132LT1G 属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP - 预偏压
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：4.7k
- 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：4.7k
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：15 @ 5mA，10V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：50nA
- 频率 - 转换：*
- 功率 - 最大：246mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3
- 包装：带卷 (TR)