NST847BDP6T5G 供应商
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NST847BDP6T5G
品牌：onsemi 封装/批号：SOT-963/21+ -
NST847BDP6T5G
品牌：ON 封装/批号：/8
NST847BDP6T5G 属性参数
- 标准包装：8,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 阵列
- 系列：-
- 晶体管类型：2 NPN（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：45V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：200 @ 2mA，5V
- 功率 - 最大：350mW
- 频率 - 转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-963
- 供应商设备封装：SOT-963
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：NST847BDP6T5G-NDNST847BDP6T5GOSTR