IC元器件

NST45011MW6T1G

参考价格：$0.1584-$0.2046

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 阵列

NST45011MW6T1G 供应商

NST45011MW6T1G 属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列：-
  • 晶体管类型：2 NPN（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：200 @ 2mA，5V
  • 功率 - 最大：380mW
  • 频率 - 转换：100MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装：SOT-363
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：NST45011MW6T1GOSTR

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