NRVBM120ET1G 供应商
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NRVBM120ET1G
品牌：ONSemiconductor 封装/批号：Powermite/18+
NRVBM120ET1G 属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：1 : ￥5.09000剪切带（CT）3,000 : ￥1.96116卷带（TR）
- 系列：POWERMITE?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：肖特基
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：20 V
- 电流 - 平均整流 (Io)：1A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：595 mV @ 2 A
- 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr)：-
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：500 nA @ 5 V
- 不同?Vr、F 时电容：-
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：DO-216AA
- 供应商器件封装：Powermite
- 工作温度 - 结：-65°C ~ 150°C