MMBTH10LT1 供应商
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MMBTH10LT1 原装现货
品牌：ON/安森美 封装/批号：SOT23/0332+ -
MMBTH10LT1G 原装现货
品牌：ON 封装/批号：SOT-23/15+ -
MMBTH10LT1
品牌：onsemi 封装/批号：SOT-23-3/21+ -
MMBTH10LT1
品牌：ON/ELNAF 封装/批号：SOT23/1901+ -
MMBTH10LT1
品牌：LRC 封装/批号：SOT-23/23+ -
MMBTH10LT1G
品牌：ON 封装/批号：SOT-23/0 -
MMBTH10LT1G
品牌：ON/安森美 封装/批号：SOT23/21+ -
MMBTH10LT1G
品牌：ORSEMI/安森美 封装/批号：SOT-23-3/22+ -
MMBTH10LT1G
品牌：LRC/ON 封装/批号：SOT-23/21+ -
MMBTH10LT1G
品牌：ONSemi 封装/批号：SOT-23/新批号
MMBTH10LT1 属性参数
- 标准包装：10
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：RF 晶体管 (BJT)
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：25V
- 频率 - 转换：650MHz
- 噪声系数（dB典型值@频率）：-
- 增益：-
- 功率 - 最大：225mW
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：60 @ 4mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
- 包装：剪切带 (CT)
- 其它名称：MMBTH10LT1OSCT
MMBTH10LT1